芯片已邁過3D坎 TSV制程日漸成熟

大家聽說過類比積體電路設計嗎，已逐漸進入三維晶片(3D IC)時代。在成功量產3D IC方案后，類比晶片公司又開始建設類比3D IC生產線，透過矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術，在單一封裝內整合采用不同制程生產的異質類比元件，以提升電源晶片、感測器、無線射頻(RF)等各類比方案效能。

奧地利微電子認為3D IC技術將擴大類比晶片市場商機，隨著現今電子產品功能愈來愈多，設備制造商為確保產品功能可靠度，其內部的類比晶片數量正快速增加，導致印刷電路板(PCB)空間愈來愈不夠用，且系統設計難度也與日俱增，因此類比晶片制程技術勢必須有全新的突破，才能克服此一技術挑戰。

有別于數位邏輯晶片通常有標準型封裝技術，類比晶片的封裝技術種類既多且復雜，每一個元件甚至擁有屬于本身較有利的制程技術，因此進行異質整合的難度也較高，造成類比晶片在3D IC領域的發展較為緩慢。所幸目前已有不少晶圓廠與晶片業者正大舉投入TSV技術研發，讓此一技術愈來愈成熟，將引領類比晶片邁向新的技術里程碑。