<del id="aymay"></del> 國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的信號(hào)鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“納芯微電子”）今日宣布推出國(guó)內(nèi)首款集成了隔離DC/DC電源的數(shù)字隔離芯片 NSiP884x。基于納芯微電子獨(dú)有的TFPowerTM技術(shù)，NSiP884x 系列產(chǎn)品將內(nèi)置有片上變壓器的隔離DC/DC電源電路以及四通道高速數(shù)字隔離集成在一起，用戶只需在電源輸入輸出上各加兩個(gè)濾波電容就能實(shí)現(xiàn)電源隔離和信號(hào)隔離，全集成式的方案極大程度地降低了用戶的開發(fā)難度，節(jié)省了用戶開發(fā)時(shí)間，可幫助用戶更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。
納芯微推出國(guó)內(nèi)首款集成隔離DC/DC電源的數(shù)字隔離芯片NSiP884x
國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的信號(hào)鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司今日宣布推出國(guó)內(nèi)首款集成了隔離DC/DC電源的數(shù)字隔離芯片NSiP884x。
納芯微電子于2017年推出標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離芯片產(chǎn)品，現(xiàn)已獲得國(guó)內(nèi)外眾多大客戶的認(rèn)可，包括兩/三/四通道標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離芯片、雙向I2C數(shù)字隔離芯片、隔離 RS-485 收發(fā)器等在內(nèi)的產(chǎn)品均已批量出貨。此次推出的 NSiP884x 系列產(chǎn)品從根本上解決了隔離電源的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，用戶不必再為如何選取高可靠性、參數(shù)合適的變壓器而煩惱，高集成度的特性使得 NSiP884x 尤其適用于體積受限的應(yīng)用場(chǎng)合。NSiP884x 系列產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)的 SOIC16 傳統(tǒng)封裝，制造全程穩(wěn)定可控，出廠時(shí)經(jīng)過了嚴(yán)格的耐高壓測(cè)試和性能參數(shù)測(cè)試，產(chǎn)品具有一致性高，可靠性高的特點(diǎn)，適用于對(duì)可靠性要求極高的車載和軍工應(yīng)用環(huán)境。
NSiP884x內(nèi)部功能示意圖
在解決電源隔離和信號(hào)隔離的難題時(shí)，比較常見的應(yīng)用方案是將隔離電源模塊搭配數(shù)字隔離芯片或光耦，或是通過外加變壓器搭建隔離電源的方案來解決上述問題，但隔離電源模塊存在如下一些缺點(diǎn)：
?器件體積較大、高度較高，應(yīng)用場(chǎng)合受限
?不易實(shí)現(xiàn)高耐壓，特別是加強(qiáng)絕緣
?無數(shù)字隔離通道
?可靠性較低
?成本較高
在解決電源隔離和信號(hào)隔離的難題時(shí)通常采用隔離電源模塊的方案
相較于上述方案，NSiP884x 實(shí)現(xiàn)了單顆芯片同時(shí)解決電源隔離和信號(hào)隔離的雙重難題，使用操作更加簡(jiǎn)單，并且不需要設(shè)計(jì)復(fù)雜的隔離電源電路。
NSiP884x 性能特點(diǎn)
?內(nèi)部集成電源和信號(hào)隔離，集成度高，易用性強(qiáng)
?輸出負(fù)載能力大于100mA
?高隔離耐壓 >5kVrms
?工作效率達(dá)到48%
?工作溫度范圍：-40攝氏度~125攝氏度
?寬輸入輸出范圍：支持3.3-5.5V input
?高抗EMC性能：超過10kV的系統(tǒng)ESD能力，超過10kV的浪涌能力
?低EMI性能：滿載輸出，通過簡(jiǎn)單PCB設(shè)計(jì)，滿足CISPR 32 CLASS B的要求
?具有過溫保護(hù)和輸出短路保護(hù)
?具有softstart功能
?支持電源電壓和數(shù)字隔離邏輯電平分開
?支持電源輸出不使能，低功耗模式
NSiP884x 采用 SOIC16WB 封裝形式，可與市場(chǎng)上主流的同類產(chǎn)品 pin to pin 兼容。NSiP884x 的電源工作效率為48%，比同類產(chǎn)品高出15%，工作溫升值為68.5攝氏度，支持 softstart 電源特性，低EMI的特性使其更適用于對(duì)可靠性有要求的應(yīng)用環(huán)境。
NSiP884x的工作溫升值為68.5攝氏度，同類產(chǎn)品的工作溫升值為164.3攝氏度
NSiP884x 系列產(chǎn)品具有優(yōu)異的性能，并兼具有極高的性價(jià)比。
