安集科技榮獲"IC創(chuàng)新獎(jiǎng)"成果產(chǎn)業(yè)化獎(jiǎng)

上海2022年7月9日 /美通社/ -- 7月9日，由中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱"大聯(lián)盟"）主辦的"2022集成電路產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展交流會(huì)暨中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟大會(huì)"以現(xiàn)場(chǎng)加網(wǎng)絡(luò)視頻連線全國的方式舉行。來自集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的企業(yè)、高校和科研院所的數(shù)百位代表參會(huì)，安集科技董事長王淑敏博士、副總經(jīng)理荊建芬女士受邀出席。

推動(dòng)行業(yè)：安集榮膺成果產(chǎn)業(yè)化獎(jiǎng)

中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟，是由集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈龍頭企業(yè)、高校、研究院所和社會(huì)組織等共同發(fā)起成立的非營利性創(chuàng)新組織。

會(huì)上舉行了"集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)"（以下簡稱"IC創(chuàng)新獎(jiǎng)"）頒獎(jiǎng)典禮。安集科技"銅和銅阻擋層拋光液在130nm-14nm邏輯制程的產(chǎn)業(yè)化"獲得"IC創(chuàng)新獎(jiǎng)-成果產(chǎn)業(yè)化獎(jiǎng)"。

自2018年，該聯(lián)盟設(shè)立"IC創(chuàng)新獎(jiǎng)"，此后每年評(píng)審一次。"IC創(chuàng)新獎(jiǎng)"獎(jiǎng)項(xiàng)門檻高、標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)、含金量足，獲此殊榮是基于對(duì)安集科技創(chuàng)新研發(fā)、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展成果的高度認(rèn)可。

 專精特新：創(chuàng)新締造產(chǎn)業(yè)化藍(lán)圖

安集科技以"創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)未來"作為公司核心理念。自成立之初，就將自己定位為高端半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的一站式合作伙伴，率先選擇技術(shù)難度高、研發(fā)難度大的化學(xué)機(jī)械拋光液和光刻膠去除劑，并持續(xù)專注投入。

早在2020年，工信部就授予安集科技國家第二批專精特新"小巨人"企業(yè)名單。旨在表彰安集科技在創(chuàng)新研發(fā)上的持續(xù)投入成果，成功實(shí)現(xiàn)了"專業(yè)化、精細(xì)化、特色化發(fā)展，創(chuàng)新能力強(qiáng)"。

成功打破了國外廠商對(duì)集成電路領(lǐng)域化學(xué)機(jī)械拋光液和半導(dǎo)體領(lǐng)域部分功能性濕電子化學(xué)品的壟斷，實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代，使中國在該領(lǐng)域擁有了自主供應(yīng)能力。

自主供應(yīng)：知識(shí)產(chǎn)權(quán)驅(qū)動(dòng)穩(wěn)健發(fā)展

安集科技擁有一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，核心技術(shù)權(quán)屬清晰，技術(shù)水平國際先進(jìn)或國內(nèi)領(lǐng)先，成熟并廣泛應(yīng)用于公司產(chǎn)品的批量生產(chǎn)中。

核心技術(shù)的應(yīng)用主要體現(xiàn)在產(chǎn)品配方和生產(chǎn)工藝流程兩個(gè)方面。包括金屬表面氧化（催化）技術(shù)、金屬表面腐蝕抑制技術(shù)、拋光速率調(diào)節(jié)技術(shù)、化學(xué)機(jī)械拋光晶圓表面形貌控制技術(shù)、光阻清洗中金屬防腐蝕技術(shù)、化學(xué)機(jī)械拋光后表面清洗技術(shù)、光刻膠殘留物去除技術(shù)、選擇性刻蝕技術(shù)、電子級(jí)添加劑純化技術(shù)、磨料制備技術(shù)等。

此次"IC創(chuàng)新獎(jiǎng)"的獲獎(jiǎng)，彰顯了行業(yè)安集科技持續(xù)創(chuàng)造的產(chǎn)業(yè)支持作用和經(jīng)濟(jì)價(jià)值的高度認(rèn)可。

未來，安集科技將和中國集成電路產(chǎn)業(yè)同心同行，以加快我國集成電路技術(shù)創(chuàng)新，助力我國集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新能力達(dá)到國際領(lǐng)先水平。