<del id="aymay"></del> 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
三星電子第八代V-NAND，1Tb
三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。"
三星電子第八代V-NAND，1Tb（晶圓背景）
通過這項技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達(dá)到了新的高度。基于最新NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達(dá)2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，這可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
三星第8代V-NAND有望成為存儲配置的基石，幫助擴(kuò)展下一代企業(yè)服務(wù)器的存儲容量，同時其應(yīng)用范圍還將拓展至可靠性尤為重要的車載市場。
*編者按：Toggle DDR接口版本——1.0（133Mbps）、2.0（400Mbps）、3.0（800Mbps）、4.0（1200Mbps）和5.0（2400Mbps）
*本文中的產(chǎn)品圖片以及型號、數(shù)據(jù)、功能、性能、規(guī)格參數(shù)等僅供參考，三星有可能對上述內(nèi)容進(jìn)行改進(jìn)，具體信息請參照產(chǎn)品實物、產(chǎn)品說明書或三星半導(dǎo)體官網(wǎng)(https://semiconductor.samsung.com/cn/)。除非經(jīng)特殊說明，本網(wǎng)站中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內(nèi)部測試結(jié)果，涉及的對比均為與三星產(chǎn)品相比較。
