<del id="aymay"></del> 經過完全驗證的設計為客戶提供了創建800G DR8收發器的捷徑，并為客戶加快了數據中心應用的上市時間
加利福尼亞州山景城2022年12月16日 /美通社/ -- 為提供更高水平的性能和可擴展性，加速數據通信應用光子集成電路（PIC）的設計，OpenLight今天宣布推出首款針對數據中心互連的800G DR8 PIC設計。OpenLight使用全球首個開放式硅光子晶圓廠平臺（由Tower Semiconductor提供的集成激光器）制造和測試了這些晶圓。
OpenLight 800G DR8 PIC設計
800G DR8 PIC設計為客戶提供易于使用、經過驗證的方法來快速啟動收發器的生產設計。在片上激光器集成和基于InP的高速調制器方面，OpenLight所取得的成就讓為PIC購買和安裝多余的激光器變得沒有必要，讓復雜設計的處理具有極大的高速性能和成本擴展性。800G DR8 PIC設計基于Tower Semiconductor的硅光子生產工藝（PH18DA），并采用相關電路模型和可用的測試數據集，對該PIC設計進行了完全的驗證。
"隨著每用戶用戶數和設備數不斷增加，對帶寬和更高數據速率的需求只會呈數倍增加。我們看到硅光子的采用在增加，并相信我們同類首創的800G DR8 PIC設計和可用的測試樣品，將幫助客戶快速設計光學收發器模塊，讓新興數據通信需求實現更快上市時間。" OpenLight首席運營官Thomas Mader博士表示， "與Tower一起，我們能夠始終如一地提供可擴展的設計解決方案，支持行業向800G以上的集成激光器數據中心邁進。"
"我們與OpenLight合作繼續為Tower的現有開放式晶圓廠產品增加新的、經過硅驗證的IP，使客戶能夠加速開發具有全集成激光器的下一代硅光子產品。" Tower Semiconductor模擬事業部高級副總裁兼總經理Marco Racanelli博士表示， "該工藝技術和PDK可供Tower客戶使用，并可定期安排穿梭運行，而像此處宣布的800G參考設計等更高階IP，則可通過我們的合作伙伴OpenLight獲取。"
