<del id="aymay"></del> 深圳2025年3月11日 /美通社/ -- 當(dāng)前，大模型全流程訓(xùn)練對數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的要求已突破傳統(tǒng)邊界。企業(yè)級SSD作為AI算力基礎(chǔ)設(shè)施的核心組件，其高可靠性、高性能及智能化管理能力，正成為支撐大模型訓(xùn)練效率與穩(wěn)定性的關(guān)鍵。
從海量數(shù)據(jù)的預(yù)處理到高頻參數(shù)迭代，從模型微調(diào)到實時推理，大模型運行的每一個環(huán)節(jié)都需存儲設(shè)備在"硬指標(biāo)"與"軟實力"間達成平衡。從產(chǎn)品可靠性視角出發(fā)，憶聯(lián)新一代PCIe Gen5 ESSD UH812a/UH832a可高效支撐大模型全流程訓(xùn)練。
可靠性硬指標(biāo)：從容應(yīng)對數(shù)據(jù)洪流"耐力賽"
大模型訓(xùn)練階段，需處理從10TB到100PB量級不等的海量數(shù)據(jù)集，讀寫頻率高、負(fù)載強度大。企業(yè)級SSD側(cè)重以高耐久性、大容量、混合讀寫性能等"硬指標(biāo)"應(yīng)對挑戰(zhàn)。
憶聯(lián)UH812a/UH832a采用最新一代PCIe 5.0接口，其存儲帶寬、時延、密度、耐久性、數(shù)據(jù)完整性和壽命與穩(wěn)定性等核心指標(biāo)表現(xiàn)，均高于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，對比同代際產(chǎn)品，處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。
高速帶寬與超低延遲
PCIe 5.0高速接口：支持單雙端口、NVMe2.0協(xié)議。對比PCIe 4.0帶寬翻倍，可高效處理海量非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（文本、圖像等）的清洗、標(biāo)注和格式轉(zhuǎn)換。
高吞吐量：順序讀寫14900MB/s-10500MB/s，峰值性能領(lǐng)先業(yè)內(nèi)同代際產(chǎn)品。
超低延遲：4K隨機讀取QD1延遲≤55μs，對比上一代（UH811a系列）改善43%。
高密度與大容量
單盤容量可達15.36TB：15.36TB容量SSD的TBW通常為 28PBW-70PBW，滿足大模型參數(shù)存儲需求，減少數(shù)據(jù)遷移開銷。
錯誤率與數(shù)據(jù)完整性
UBER（不可恢復(fù)錯誤率）：1E-18。JESD218A規(guī)范（固態(tài)硬盤可靠性測試方法）下，企業(yè)級SSD UBER滿足 ≤1E-17即可，部分高端產(chǎn)品通過技術(shù)優(yōu)化，可提升至1E-18。
高耐久性
DWPD（每日全盤寫入次數(shù)）：高達3 DWPD（UH832a）。5年保修期內(nèi)，可滿足用戶每天3次全盤的數(shù)據(jù)寫入量，有力承載海量數(shù)據(jù)寫入的應(yīng)用場景。
高置信度
MTBF（平均故障間隔時間）：≥250萬小時。累計1200+片盤測試。
AFR（年失效率）：≤0.35%
根據(jù)OCP（開放計算項目）規(guī)范，企業(yè)級SSD的MTBF≥200萬小時（運行溫度0°-55°）、AFR（年失效率）≤0.44%即可。憶聯(lián)UH812a/UH832a高置信度的MTBF和AFR可輕松滿足模型訓(xùn)練場景需求。
系統(tǒng)級可靠性軟實力：毫秒級響應(yīng)推理"敏捷戰(zhàn)"
進入模型微調(diào)與推理階段，讀寫數(shù)據(jù)量降低，參數(shù)讀取速度和模型加載速度變得更為關(guān)鍵，存儲需求轉(zhuǎn)向低延遲與高服務(wù)質(zhì)量（QoS）。此時，企業(yè)級SSD需以"軟實力"極速響應(yīng)推理"敏捷戰(zhàn)"。
憶聯(lián)UH812a/UH832a針對AI推理場景的典型需求，通過算法優(yōu)化、容錯與恢復(fù)機制、智能監(jiān)控與維護、數(shù)據(jù)保護等系統(tǒng)級可靠性設(shè)計，以及積累多年的完備測試驗證能力，構(gòu)建了多維度的"軟實力"保障體系。
固件算法優(yōu)化
增強的LDPC糾錯算法：提供比Flash顆粒要求更高的糾錯能力，能夠精準(zhǔn)識別并修正數(shù)據(jù)傳輸與存儲過程中出現(xiàn)的各類錯誤。LDPC+DSP算法引擎融合硬判決、軟判決、DSP等手段，使Flash壽命最高提升5倍。
全場景QoS調(diào)優(yōu)：隨機讀99.999%的QoS時延小于1ms，達到業(yè)界領(lǐng)先。
智能磨損平衡技術(shù)：智能均衡Flash顆粒磨損壓力，區(qū)分"健壯"與"脆弱"的NAND單元，優(yōu)化寫入分布，避免NAND局部過度擦寫，并結(jié)合智能健康監(jiān)測提前預(yù)警潛在風(fēng)險，提升SSD壽命。
智能FSP算法：通過軟硬件協(xié)同設(shè)計，結(jié)合介質(zhì)特性，有效解決SSD在長期使用中性能衰減、數(shù)據(jù)可靠性下降的痛點。業(yè)界最低誤碼率的FSP算法保護SSD生命末期可靠，使得SSD全生命周期性能浮動小于10%。
容錯與恢復(fù)機制
內(nèi)置類RAID算法：基于智能的類RAID算法，當(dāng)介質(zhì)數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯誤后，可以恢復(fù)數(shù)據(jù)，單芯片故障不影響數(shù)據(jù)完整性。
Flexible RAID算法：在發(fā)生Flash器件失效后，將主動恢復(fù)故障Flash中的數(shù)據(jù)并繼續(xù)對數(shù)據(jù)進行RAID保護。
掉電保護：當(dāng)服務(wù)器異常下電時，通過內(nèi)置電容在斷電瞬間維持供電，確保硬盤內(nèi)的數(shù)據(jù)不丟失，優(yōu)先寫入緩存數(shù)據(jù)，防止模型訓(xùn)練中斷導(dǎo)致模型參數(shù)丟失。
智能監(jiān)控與預(yù)測性維護
健康狀態(tài)報告：實時檢測設(shè)備剩余壽命、溫度、IO統(tǒng)計、壞塊率等指標(biāo)。支持設(shè)備診斷、監(jiān)測和SMART信息上報。
數(shù)據(jù)巡檢技術(shù)：周期性巡檢錯誤、處理壞塊、校驗數(shù)據(jù)等，在后臺對全盤數(shù)據(jù)進行校驗檢查，可有效規(guī)避數(shù)據(jù)失真。若數(shù)據(jù)有失真風(fēng)險，則及時搬遷此部分?jǐn)?shù)據(jù)，并屏蔽該Flash空間，避免業(yè)務(wù)讀取錯誤數(shù)據(jù)，確保數(shù)據(jù)可靠性、完整性和設(shè)備健康。
NVMe-MI帶外管理：支持通過訪問帶外通道進行設(shè)備管理。如：軟硬件狀態(tài)監(jiān)控、主機業(yè)務(wù)性能監(jiān)控、SSD固件升級與激活、帶外業(yè)務(wù)管理等。
全鏈路數(shù)據(jù)保護
端到端數(shù)據(jù)保護：保護整個數(shù)據(jù)路徑中的數(shù)據(jù)，支持用戶通過DIF域進行數(shù)據(jù)保護，數(shù)據(jù)在盤片內(nèi)部各模塊間傳輸時均有校驗保護，應(yīng)用于大模型推理的復(fù)雜場景，可顯著降低數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險并延長SSD使用壽命。
高級Flash訪問技術(shù)：組合應(yīng)用Flash顆粒的Read retry和Adaptive read技術(shù)，有效保證數(shù)據(jù)的有效性。
深度調(diào)優(yōu)及驗證
企業(yè)級研發(fā)實驗室：可開展從軟件研發(fā)、算法到芯片、硬件及軟件測試等全方位的測試驗證任務(wù)。基于行業(yè)三大標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范（JEDEC規(guī)范、SNIA和OCP），擁有強大的產(chǎn)品驗證及深度調(diào)優(yōu)能力，通過多種可靠性專項驗證測試，保障客戶使用的SSD具備長期可靠性和穩(wěn)定性。
全流程可靠性驗證：從白盒、灰盒、黑盒等多維度保障軟件特性功能和可靠性，已累計可靠性專項測試用例4000+。同時構(gòu)建了兼容性CI，持續(xù)累積可靠性測試強度，測試規(guī)模和測試壓力保持業(yè)界標(biāo)桿水平。
綜上所述，實現(xiàn)企業(yè)級SSD的高可靠性需"軟硬結(jié)合"，既要硬指標(biāo)達標(biāo)（如MTBF、UBER、AFR），也需軟實力優(yōu)異（如算法優(yōu)化、容錯與恢復(fù)、高標(biāo)準(zhǔn)測試驗證等），通過構(gòu)建"零數(shù)據(jù)丟失"的可靠防線，方能支撐大模型從PB級數(shù)據(jù)訓(xùn)練到毫秒級推理響應(yīng)的全流程需求。
作為企業(yè)級PCIe 5.0標(biāo)桿產(chǎn)品，憶聯(lián)UH812a/UH832a將以穩(wěn)定可靠的存力底座激發(fā)算力潛能，為客戶與伙伴提供堅實的數(shù)據(jù)存儲基礎(chǔ)設(shè)施保障。
