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    45nm單芯片8Gb NOR閃存的快速讀取和編程能力

    2013-08-29 17:07 來(lái)源:電源網(wǎng) 作者:鈴鐺

    Spansion公司日前推出了業(yè)界首款45nm單芯片8Gb NOR閃存產(chǎn)品。該產(chǎn)品采用Spansion具有高可靠度的MirrorBit專有技術(shù),可提供高品質(zhì)的快速隨機(jī)訪問(wèn)讀取性能和快速編程能力,助力為游戲、消費(fèi)、汽車、電信和工業(yè)等領(lǐng)域應(yīng)用中互動(dòng)圖形、動(dòng)畫和視頻實(shí)現(xiàn)更好的用戶體驗(yàn)。

    據(jù)Spansion公司NOR產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Jackson Huang介紹,45 nm Spansion GL-T系列是Spansion GL并行NOR產(chǎn)品線的最新成員,也是65nm SpansionGL- S產(chǎn)品系列的補(bǔ)充。它具有更強(qiáng)的性能,讀取性能比擁有同類技術(shù)與容量的產(chǎn)品提高2 倍以上,達(dá)95 MB/秒。它的編程速度最快可達(dá)1.8MB/秒,相較于其他高密度NOR閃存產(chǎn)品,可提供更快的生產(chǎn)能力。

    45 nm Spansion GL-T系列產(chǎn)品采用了Spansion 公司的MirrorBit電荷捕獲技術(shù),JacksonHuang介紹說(shuō),傳統(tǒng)的浮柵技術(shù)結(jié)構(gòu)上比較復(fù)雜,而且生產(chǎn)過(guò)程也比較麻煩。它會(huì)在柵極里面儲(chǔ)存一些電荷,但由于它本身的結(jié)構(gòu)會(huì)承受很多氧化物的應(yīng)力,而且里面的電荷也會(huì)互相產(chǎn)生干擾,另外浮柵本身也會(huì)導(dǎo)電,在這個(gè)過(guò)程中,會(huì)損失一些電子電荷,要想達(dá)到一個(gè)高密度的目標(biāo)會(huì)很難。而Spansion專有的MirrorBit技術(shù)在結(jié)構(gòu)方面相對(duì)簡(jiǎn)單,采用平面式的結(jié)構(gòu),在P型襯底上方的一塊區(qū)域存儲(chǔ)一些電荷,因?yàn)樗遣粚?dǎo)電的,所以在這里可以把電荷捕捉住,可使產(chǎn)品更加可靠,性能、效果會(huì)更好,也可降低耦合與干擾,并易于實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。

    45nm 8Gb NOR閃存適用于需要使用到大量、豐富圖像的平臺(tái),讓這些圖像在使用者的界面上可以更加順暢地使用。Jackson Huang強(qiáng)調(diào)說(shuō),因?yàn)檫@些平臺(tái)儲(chǔ)存的不僅僅是各種圖像,還有圖像里面的元素,當(dāng)圖像存取的量很多時(shí),他們需要很快地存取,并且以隨機(jī)的方式進(jìn)行存取,讓使用者有快速反應(yīng)。Spansion就是希望能夠把這些高密度的圖像和照片從Flash存儲(chǔ)中快速讀出。另外,許多用戶需要儲(chǔ)存很多的照片,他們必須把照片進(jìn)行壓縮以達(dá)到節(jié)省存儲(chǔ)空間的目的,但當(dāng)照片被還原時(shí),顆粒就會(huì)顯得比較粗。Spansion此次推出的NOR閃存容量達(dá)8G,用戶不再需要把這些照片進(jìn)行壓縮,或者只壓縮一部分,照片再度呈現(xiàn)時(shí),細(xì)節(jié)就會(huì)非常的清楚,可獲得更真實(shí)、更賞心悅目的圖像畫質(zhì)。

    在并行NOR產(chǎn)品線上,從早期的230 nm到110 nm,Spansion在不斷提升其解析度,目前已達(dá)65 nm和45 nm。Jackson Huang說(shuō):“將來(lái)Spansion會(huì)繼續(xù)向更小體積、更高密度的產(chǎn)品前進(jìn)。另外,我們也會(huì)為客戶提供硬件和軟件方面的支持,幫助客戶縮短產(chǎn)品上市的時(shí)間。”

    據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,今年的閃存市場(chǎng)營(yíng)收為24 3億美元,其中NOR閃存只占有3 5億美元,尤其在智能手機(jī)領(lǐng)域,受NAND閃存的沖擊很大,并且競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也在不斷研發(fā)新的存儲(chǔ)技術(shù)。Jackson Huang表示,Spansion的閃存應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括汽車、游戲、通信以及消費(fèi)類電子等。目前NOR閃存市場(chǎng)相當(dāng)穩(wěn)固,NOR閃存可分成兩類:一種是并行,另一種是SPI的NOR,現(xiàn)在一些低價(jià)并行閃存正逐漸被SPI取代,但中間高價(jià)部分的NOR閃存的市場(chǎng)發(fā)展空間較大,這正是Spansion產(chǎn)品所針對(duì)的目標(biāo)市場(chǎng),如游戲機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域。而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正研發(fā)的新存儲(chǔ)技術(shù)PCM,在溫度方面還面臨某些挑戰(zhàn),需要一段時(shí)間技術(shù)才可以達(dá)到成熟,如果這個(gè)挑戰(zhàn)不解決,該技術(shù)無(wú)法提供大范圍的應(yīng)用。

    單芯片 NOR 8Gb 讀取

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