東芝第二代19納米工藝NAND閃存即將投入量產

東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，該公司已經開發出第二代19納米工藝技術，該技術將于本月晚些時候用于量產每單元2比特的64吉比特NAND存儲芯片。

東芝已經使用該新一代技術開發出全球最小的每單元2比特的64吉比特NAND存儲芯片，芯片面積只有94平方毫米。新一代芯片采用了獨特的高速寫入方法，寫入速度可高達25兆字節/秒—是全球速度最快的每單元2比特芯片。

東芝還在利用該工藝技術開發每單元3比特芯片，并計劃在本財年第二季度投入量產。該公司最初將通過開發一種與eMMC兼容的控制器，為智能手機和平板電腦推出3比特的多級單元產品，隨后會通過開發與固態硬盤(SSD)兼容的控制器，將產品的應用范圍擴大到筆記本電腦領域。

NAND閃存是存儲卡、智能手機、平板電腦和筆記本電腦等多元化消費品系列的基本構成元素，并越來越多地被部署到企業產品中，包括數據中心的固態硬盤。展望未來，東芝將繼續推進產品創新與開發，成為市場中一家能夠應對各種客戶需求的領先公司。