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    Polymicro開發(fā)含low -OH合成熔融石英內(nèi)芯的光纖

    2013-11-05 23:20 來源:電源網(wǎng) 作者:和靜

    全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司子公司Polymicro Technologies成功地開發(fā)了一款包含low -OH 合成熔融石英(synthetic fused silica)內(nèi)芯的光纖產(chǎn)品,PolyClad?硬聚合物覆層和ETFE 緩沖器/護套jacket。其特性是具有高抗張強度和最小彎曲半徑,實現(xiàn)了高可靠性。Polymicro 200/230 PolyClad光纖適合工廠自動化和過程控制應(yīng)用中的短至中等距離數(shù)據(jù)通信,能夠耐受嚴苛溫度、化學(xué)品和輻射環(huán)境。

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    Molex業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Imke Kuester稱:“我們?nèi)碌?a href="http://www.916339.com/article/8443.html" target="_blank">寬光譜200 μm硬聚合物覆層光纖經(jīng)過優(yōu)化,在650和850 nm下的典型衰減分別低于10和6 dB/km,具有遠遠超過行業(yè)標準150 kpsi的抗張強度,以及最小彎曲半徑,實現(xiàn)了高可靠性。Polymicro的200/230 PolyClad光纖具有出色的性能,并且結(jié)合了耐受可能導(dǎo)致退化和縮短產(chǎn)品壽命的嚴苛溫度、化學(xué)品和輻射的特性。”

    200/230 PolyClad光纖兼容壓接和切割,并且符合 Euro RoHS標準,具有大型200 μm內(nèi)芯和大數(shù)值孔徑,實現(xiàn)簡便的端接和高光源耦合效率。由于具有高覆層/內(nèi)徑比例,連接器偏移最大限度減小至≤5 μm。由于抗張強度≥150 kpsi、最小彎曲半徑≥10 mm (短期)和≥16 mm (長期),并且在850nm下典型衰減≤6 dB/km,在650nm下≤10 dB/km,即使在嚴苛的環(huán)境條件下,Polymicro光纖也是非常可靠的。

    200/230 PolyClad光纖設(shè)計用于一系列高性能短至中等距離數(shù)據(jù)通信,用于廣泛的工廠自動化和過程控制應(yīng)用,包括化工廠、精煉廠、航空電子、汽車、生產(chǎn)和制造廠、移動平臺,風(fēng)力渦輪、發(fā)電廠和PLC中的應(yīng)用。

    光纖 Polymicro 合成熔融石英內(nèi)芯

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