<del id="aymay"></del> 在先端科技的蓬勃發展下，MEMS組件已成為智能產品的主要核心。為降低企業投入MEMS開發時，因故有分析技術難以找出MEMS真正失效原因，iST集團-臺灣宜特今(10/15)宣布，成功建構出MEMS G-Sensor的標準失效分析流程。此流程亦被許多公司實際采用，目前全臺開發MEMS G-sensor的公司中，約達九成在iST宜特幫助下解決失效問題。
iST獨家研發的MEMS G-Sensor失效分析標準流程，更正式通過全球最具代表性，電子組件檢測失效分析技術研討會-ISTFA的認可，成為全臺第一家且是唯一一家擁有MEMS研究團隊的實驗室。
iST觀察發現，許多公司欲了解MEMS組件的失效狀況時，由于對其結構的認知度、掌握度不夠，因此以傳統方式做開蓋(De-cap)觀察，容易造成組件污染。
此外，iST進一步指出，因組件為懸浮結構，以外力移除時易產生毀損。雙方影響下，容易造成組件污染和應力破壞，不但沒有找出真因，反而制造更多失效盲點。
為克服此問題，iST今年已成功開發出MEMS無污染的De-cap技術，結合無應力的組件移除技術，以非破壞方式保留結構原貌，避開機械應力和污染產生的非真因失效。目前已幫助三十多家MEMS設計、制造與封裝企業，對癥下藥地找出失效點并成功改善，搶攻市場先機。
失效G-Sensor組件觀察影像 正常G-Sensor組件觀察影像
圖說:在iST宜特MEMS標準失效分析流程下，可精準看出失效G-Sensor組件的真正失效點。
iST集團營運長 林正德指出，2007年預見此市場需求后即投入研發，全面布局MEMS等新興產品失效分析技術。這幾年在大量實務經驗深耕下，更于今年建立出MEMS標準失效分析流程。
此技術，iST集團臺灣總部技術經理 黃君安將于11月6日在美國加州圣荷西的國際失效分析暨測試研討會(ISTFA)上發表。歡迎業界先進舊雨新知前來交流。
ISTFA會議報名網址：http://www.asminternational.org/content/Events/istfa/index.jsp
